Epitaksiyel grafende saçılma mekanizmaları

Abstract

Bu çalışmada, SiC alt taş üzerine büyütülen grafenin sıcaklığa bağlı (12- 300K) Hall etkisi ölçümleri gerçekleştirildi. Bu Hall verilerine ilk olarak, Basit Paralel İletim Ayrıştırma Yöntemi (SPCEM) uygulanarak, 3 boyutlu (3B) ve iki boyutlu (2B) kanalların sıcaklık bağımlı mobiliteleri ve taşıyıcı yoğunlukları elde edildi. Oda sıcaklığında grafen tabakasından 2296 cm2 / V.s yüksek taşıyıcı mobilitesi ve SiC’den 813 cm2 / V.s düşük taşıyıcı mobilitesi elde edildi. SPCEM verileri kullanılarak, 3B ve 2B saçılma mekanizmaları analiz edilerek, düşük ve yüksek sıcaklıklarda baskın saçılma mekanizmaları belirlendi. İletim işleminin

In this thesis, the Hall effect measurement of graphene on SiC substrate was carried out as a function of temperature (12-300 K). Hall data were first analyzed to extract the temperature dependent mobilities and carrier densities of the bulk (3B) and two dimensional (2B) channels using a Simple Parallel Conduction Extraction Method (SPCEM) successfully. High carrier mobility 2296 cm2 / V.s from the graphene layer and low carrier mobility 813 cm2 / V.s from the SiC were obtained at room temperature. By using SPCEM extracted data, 3B and 2B scattering mechanisms were analyzed and the dominant scattering mechanisms in low and high temperature regimes were determined. It was found that the transport was mainly determined by scattering processes in 2B graphene.